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APT200GN60J中文资料

APT200GN60J图片

APT200GN60J外观图

  • 大小:199.54KB
  • 厂家:ADPOW [Advanced Power Technology]
  • 描述:Intergrated Gate Resistor: Low EMI, High Reliability
  • 标准包装:10
  • 类别:半导体模块
  • 家庭:IGBT
  • 系列:-
  • IGBT 类型:沟道和场截止
  • 配置:单一
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开):1.85V @ 15V,200A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):283A
  • 电流 - 集电极截止(最大):25µA
  • Vce 时的输入电容 (Cies):14.1nF @ 25V
  • 功率 - 最大:682W
  • 输入:标准型
  • NTC 热敏电阻:无
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:ISOTOP
  • 供应商设备封装:ISOTOP?
  • 其它名称:APT200GN60JMIAPT200GN60JMI-ND

APT200GN60J供应商

更新时间:2023-01-08 12:48:11
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